炭化ケイ素基板

ケイ素超硬基板:

ａ．原料：SiCは天然に生成されるものではなく、シリカ、コークス、少量の塩を混合し、黒鉛炉で2000℃以上に加熱してA-SICが生成されます。注意: 濃い緑色のブロック状の多結晶集合体が得られます。

b.製造方法: SiC の化学的安定性と熱的安定性は非常に優れています。一般的な方法では緻密化を達成することが難しいため、焼結助剤を添加し、通常は真空熱プレス法などの特殊な方法で焼成する必要があります。

c. SiC基板の特徴：銅よりも熱拡散係数が特に大きく、熱膨張係数がSiに近いことが最大の特徴です。もちろん、いくつかの欠点はあります。比較的誘電率が高く、絶縁耐圧が劣ります。

D. 用途：シリコン用超硬基板、高速・高集積ロジックLSIテープや超大型コンピュータなど、長延長、低電圧回路やVLSI高冷却パッケージの多用途、光通信クレジットレーザーダイオード基板用途など。

ケース基板(BE0)：

熱伝導率がA1203の2倍以上で大電力回路に適しており、誘電率が低いので高周波回路にも使用できます。 BE0基板は乾圧法が基本ですが、タンデム法など微量のMgOとAl2O3を用いて作製する場合もあります。 BE0 粉末の毒性により環境問題があり、BE0 基質は日本では許可されておらず、米国からのみ輸入できます。