マイクロエレクトロニクス実装用セラミック基板

専門メーカーとして、当社はマイクロエレクトロニクスパッケージング用のセラミック基板を提供したいと考えています。マイクロエレクトロニクスパッケージング用のセラミック基板は、セラミック材料で作られた平らで硬く、多くの場合薄いプレートまたはボードであり、主に電子部品や回路のベースまたはサポートとして使用されます。 。これらの基板は、エレクトロニクス、半導体、および耐熱性、電気絶縁性、機械的安定性が要求されるその他の分野を含むさまざまな用途に不可欠です。セラミック基板には、特定の用途に合わせてさまざまな形状、サイズ、組成のものがあります。これらは、電子部品の取り付けと相互接続に安定した熱伝導性の基盤を提供し、電子機器やシステムの性能と信頼性にとって極めて重要です。

マイクロエレクトロニクス実装用 Torbo® セラミック基板

項目:窒化ケイ素基板

材質:Si3N4
色:グレー
厚さ:0.25-1mm
表面処理：ダブルポリッシュ
かさ密度：3.24g/㎤
表面粗さRa：0.4μm
曲げ強度:(3点法):600-1000Mpa
弾性率:310Gpa
破壊靱性(IF法)：6.5MPa・√m
熱伝導率：25℃ 15～85W/(m・K)
誘電損失率:0.4
体積抵抗率：25℃＞1014Ω・㎝

破壊強度:DC >15㎸/㎜

マイクロ電子パッケージング用のセラミック基板は、マイクロ電子デバイスの製造に使用される特殊な材料です。セラミック基板の特徴と用途をいくつか紹介します。

特徴: 熱安定性: セラミック基板は熱安定性に優れており、反ったり劣化したりすることなく高温に耐えることができます。そのため、マイクロエレクトロニクスで一般的に見られる高温環境での使用に最適です。 低い熱膨張係数: セラミック基板は熱膨張係数が低いため、熱衝撃に強く、ひび割れ、欠け、ひび割れの可能性が低減されます。電気絶縁性: セラミック基板は絶縁体であり、優れた誘電特性を備えているため、電気絶縁が必要なマイクロ電子デバイスでの使用に最適です。 耐薬品性: セラミック基板は化学的耐性があり、次のような影響を受けません。酸、塩基、その他の化学物質への曝露に強く、過酷な環境での使用に非常に適しています。用途:

セラミック基板は、マイクロプロセッサ、メモリデバイス、センサーなどのマイクロ電子デバイスの製造に広く使用されています。一般的な用途には次のものがあります。 LED パッケージング: セラミック基板は、熱安定性、耐薬品性、絶縁性に優れているため、LED チップをパッケージングするためのベースとして使用されます。 パワー モジュール: セラミック基板は、スマートフォンなどの電子機器のパワー モジュールに使用されます。パワーエレクトロニクスに必要な高電力密度と高温に対応できるため、コンピュータや自動車に使用されます。 高周波アプリケーション: 誘電率が低く、損失正接が低いため、セラミック基板はマイクロ波デバイスなどの高周波アプリケーションに最適です。全体として、マイクロエレクトロニクスパッケージ用のセラミック基板は、高性能電子デバイスの開発において重要な役割を果たします。これらは優れた熱安定性、耐薬品性、絶縁特性を備えているため、幅広いマイクロエレクトロニクス用途に非常に適しています。

中国の工場で製造されるマイクロエレクトロニクスパッケージング用のTorbo®セラミック基板は、パワー半導体モジュール、インバーター、コンバーターなどのエレクトロニクス分野で広く使用されており、他の絶縁材料を置き換えて生産量を増やし、サイズと重量を削減します。また、強度が非常に高いため、使用する製品の寿命と信頼性を高めるための重要な材料となっています。

パワーカード（パワー半導体）、自動車用パワーコントロールユニットの両面放熱