セラミック基板の金属

金属のセラミック基板:

ａ．厚膜法：厚膜メタライゼーション法で、スクリーン印刷により形成されます。セラミック基板、導体（回路配線）や抵抗などの形成、回路やリード接点の焼結形成など、酸化物とガラスと酸化物の混合系。
b.膜法：真空成膜、イオンプレーティング、スパッタリング成膜等によるメタライズ。ただし、金属膜の熱膨張係数とセラミック基板可能な限り最良の状態にし、メタライゼーション層の接着性を改善する必要があります。
c.共焼成法：焼成前のセラミックグリーンシート上に、Mo,Wらの配線印刷の厚膜スラリーを塗布し、セラミックスと導体金属を焼き付けて構造体を形成する方法。 :
■ 微細な回路配線が形成でき、多層化が容易であり、高密度配線が可能です。
■ 絶縁体と導体による気密パッケージ。
■ 材料の選択、成形圧力、焼結温度、焼結収縮の開発、特に平面方向の収縮ゼロ基板の開発に成功し、BGA、CSP、ベアなどの高密度パッケージに使用されます。チップス。