窒化珪素板及びその製造方法

特許名：窒化ケイ素基板窒化珪素板及びその製造方法、並びにそれを用いた窒化珪素回路基板及び半導体モジュールの製造方法
技術分野:
本発明は、窒化ケイ素基板及びその製造方法。さらに、本発明は、上記のものを用いた窒化ケイ素回路基板および半導体モジュールの使用を含む。窒化ケイ素基板.
背景技術:
近年、電気自動車分野などでは、高電圧・大電流で動作するパワー半導体モジュール（Power Semiconductor Module）（IGBT、パワーMOSFETなど）が注目されています。パワー半導体モジュールに使用される基板としては、絶縁性セラミック基板の片面に金属回路基板を組み合わせたものや、セラミック回路基板の他面に金属放熱板を貼り合わせたものが使用される。その他、金属基板上の半導体素子など。上記の絶縁性セラミック基板と、いわゆる銅系銅系銅系銅系銅系銅系銅系銅系銅などの金属回路基板や金属製ヒートシンクとの組み合わせが直接接続される。合法的に。このようなパワー半導体モジュールは、大電流を流すことにより放熱が大きくなります。しかしながら、上記絶縁性セラミック基板は熱伝導率が低いため、半導体部品の放熱を阻害する要因となる場合がある。また、熱応力の発生は、絶縁セラミック基板と金属回路基板および金属放熱板との間の熱膨張率によって引き起こされる。その結果、絶縁セラミック基板が割れて破壊したり、金属回路基板や金属放熱基板が絶縁セラミック基板から剥離したりする。